方案简介：

太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 逆变级和工业变频驱动器 (VFD) 等应用中的功率级通常由分立的 IGBT/MOSFET 集成专用的驱动器和额外的分立器件构成。安森美半导体新的 NXH160T120L2Q1SG 和 NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模块 (PIM) 提供紧凑、高度集成的方案，采用易于贴装的封装，节省空间和降低成本，极大地减轻设计人员的挑战。

这些器件采用 Q1 和 Q2 封装，用于 30 KW 和 50 KW 逆变器，集成场截止沟槽 IGBT 和快速恢复二极管，提供更低的导通和开关损耗，并使设计人员能够在低 VCE(SAT) 和低 EON / EOFF 损耗之间折衷，以充分优化电路性能。直接键合铜 (DBC) 基底支持大电流，最大限度地降低寄生电感的影响，令设计人员实现高的开关速度，以及以 12.7 mm 的爬电距离提供 3000 Vrms 的隔离电压。

此外，安森美半导体还推出了新的、充分优化的、超紧凑的智能功率级 (SPS) 多芯片模块 FDMF3170，用于服务器、数据中心、人工智能加速器和电信设备中的 DC-DC 降压转换器。它集成两个基于安森美半导体 PowerTrench® 技术的高性能功率 MOSFET，和一个具有高精度电流传感器的智能驱动器以实现最佳的处理器性能。

目标应用：

太阳能、工业电源

技术支持服务：

Datasheet

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